特許

J-GLOBAL ID：201103069511439691

セラミックス回路基板

発明者： 中井 敏夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願昭64-000535
公開番号（公開出願番号）：特開平2-181459
特許番号：特許第2667486号
出願日： 1989年01月06日
公開日（公表日）： 1990年07月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体素子が収容され多層構造を有する窒化アルミニウム製セラミックス基板と、この多層構造の窒化アルミニウム製セラミックス基板内の所望の位置に形成された内部配線層と、前記多層構造の窒化アルミニウム製セラミックス基板内に設けられ内部に隣接する窒化アルミニウム層どうしを当接させる空白部を有する接地層とを備え、前記窒化アルミニウム製セラミックス基板と内部配線層および接地層とが同時焼成されてなることを特徴とするセラミックス回路基板。

IPC (2件)：

H01L 23/15 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 23/14 C ,  H01L 23/12 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-074932
  
• 特開昭47-028448
  
• 特開昭60-074932