特許
J-GLOBAL ID：201103069623369815
半導体式加速度センサおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-184331
公開番号（公開出願番号）：特開平3-049267
特許番号：特許第2811768号
出願日： 1989年07月17日
公開日（公表日）： 1991年03月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】起歪領域として薄肉状に形成されるとともに歪み量を検出するために半導体感歪素子を形成されたビーム薄肉部と、このビーム薄肉部から延在して荷重領域として厚肉状に形成されたビーム重量部と、このビーム薄肉部とビーム重量部とからなるビーム部の変位量を規程して該変位を停止させるストッパとを有し、前記ビーム重量部に印加された加速度に応じた前記ビーム薄肉部の歪み量を前記半導体感歪素子が検出することにより、前記加速度を検出する半導体加速度センサにおいて、前記ストッパは、前記ビーム重量部の重心点の動きに作用して前記変位を停止させるべく、実質上、前記重心点の移動線上に配置されており、前記起歪領域としてのビーム薄肉部に前記半導体感歪素子を形成するとともに、前記ストッパにも半導体感歪素子を形成したことを特徴とする半導体式加速度センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/84 A
, G01P 15/12
