半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-224985
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043562
特許番号：特許第3448015号
出願日： 2000年07月26日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の半導体基板にそれぞれ形成された第2導電型のドレイン領域及びソース領域と、前記ドレイン領域に上下に互いに間隔をおいて形成された第1導電型の不純物層からなり、下側に位置する第1の埋め込み領域及び上側に位置する第2の埋め込み領域と、前記ドレイン領域における前記第1の埋め込み領域と前記第2の埋め込み領域との間に形成されており、前記ドレイン領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第2導電型の高濃度不純物領域と、前記ドレイン領域における前記第2の埋め込み領域の上側に形成されており、前記ドレイン領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第2導電型の上方高濃度不純物領域とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：