光電子放射体

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-081727
公開番号（公開出願番号）：特開平2-260349
特許番号：特許第2798696号
出願日： 1989年03月31日
公開日（公表日）： 1990年10月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】深いレベルの不純物準位を含む半絶縁性または高抵抗のGaAs、InPまたはこれらの金属間化合物半導体を用いた構造であって、照射光によって前記半導体の深いレベルの不純物準位から伝導帯へ励起された光電子を、当該半導体内部の厚み方向に100kV/cm以上の内部電界強度により電界加速して雪崩増倍を生起させ、ホットエレクトロンとして、アルカリあるいはアルカリ酸化物をもって処理した表面から外部電子放出させるよう構成されており、かつ、該内部電界印加のために、半導体内部に逆バイアス接合が設けられていることを特徴とする光電子放射体。

IPC (1件)：