特許

J-GLOBAL ID：201103069759849780

縮小表面領域を有するSRAMメモリ・セル

発明者： ジョン・ジェイ・エリス-モナガン ,  ウィルバー・ディー・プライサー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-364054
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200490
特許番号：特許第3269054号
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1のトランジスタ対を備え、これらのトランジスタの各々が、それぞれのトランジスタの導通を制御するソース,ドレイン,ゲート,ボディ・コンタクトを有し、前記第1のトランジスタ対のドレイン接続部に接続されたドレイン接続部を有し、および互いに接続されたソース接続部を有する第2のトランジスタ対を備え、前記第1および第2のトランジスタ対の各々が、各トランジスタ対の対向するトランジスタのドレインに交差結合されたゲート接続部を有して、双安定ラッチ回路を形成し、前記ボディ・コンタクトを有する前記第1のトランジスタ対のソース接続部に接続された一対の相補ビット・ラインと、前記ボディ・コンタクトを有する各トランジスタの前記ボディ・コンタクトに接続されたワード・ラインと、前記第2のトランジスタ対の前記ソース接続部に接続された書込端子とを備えたSRAMセル。

IPC (3件)：

G11C 11/412 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11

FI (2件)：

G11C 11/40 301 ,  H01L 27/10 381