特許
J-GLOBAL ID：201103069829478165
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松下 義治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-130049
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323576
特許番号：特許第3566133号
出願日： 1999年05月11日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】シリコン基板上に、第一の絶縁膜を選択的に形成する工程と、MOS型トランジスタ領域にゲート酸化膜を形成する工程と、多結晶シリコン薄膜を形成して、後にレーザトリミング位置決め用パターン部分になる部分には、前記多結晶シリコン薄膜をドット状に加工した多結晶シリコンドットを、後にヒューズ素子となる部分には多結晶シリコンヒューズを、さらに前記MOS型トランジスタ領域には前記多結晶シリコン薄膜で作られたゲート電極を、一回のパタニング工程によって同時に形成する工程と、前記 MOS型トランジスタ領域にイオン注入法でソース領域及びドレイン領域を形成した後、NSG膜やPSG膜またはBPSG膜からなる第二の絶縁膜を形成する工程と、前記レーザトリミング位置決め用パターン部分では、前記第二の絶縁膜を除去し、前記MOS型トランジスタ領域及び前記ヒューズ素子部分では、コンタクト領域のみを開口する工程と、アルミニウム膜を形成した後、前記MOS型トランジスタ領域及び前記ヒューズ素子部分では、配線用などの所望の部分を残してエッチング除去し、一方、前記レーザトリミング位置決め用パターン部分は前記アルミニウム膜を残すようにする工程と、シリコン窒化膜の保護膜を全面に形成した後、前記MOS型トランジスタ領域では保護膜は残すようにし、前記ヒューズ素子部分では、レーザービームを照射する領域のみを開口するようにし、また、前記レーザトリミング位置決め用パターン部分では前記保護膜を除去するように、パタニングする工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/82 F
, B23K 26/00 C
