フォトレジスト又はドライエッチングを必要としないパターン化ハードマスク薄膜(RFP)形成のプロセスシーケンス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：園田吉隆 , 小林義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-547681
公開番号（公開出願番号）：特表2011-520242
出願日： 2009年02月05日
公開日（公表日）： 2011年07月14日
要約：

本発明の一実施形態によれば、紫外線を用いてハードマスク薄膜をパターニングする方法及びシステムが開示される。本発明の実施形態は、ハードマスクパターンを作るためのフォトレジストの被着及びエッチングの加工上の問題を軽減する。最初に、酸化ケイ素などのハードマスク層を被着チャンバ内で基板上に被着させる。場合により、被着に続いてハードマスク層をベーク又はアニールする。その後、ハードマスク層の一部を紫外線で露光する。紫外線はハードマスク材料の露光部分及び未露光部分のパターンを作る。露光に続いて、ハードマスクの未露光部分を除去するウェットエッチングなどのエッチングプロセスが行われてもよい。エッチングに続いて、ハードマスクをアニールするか、ベークするか、又はプラズマ処理してもよい。

請求項（抜粋）：

紫外線を用いてハードマスク薄膜をパターニングする方法であって、被着チャンバ内でハードマスク層を基板上に被着させることと、紫外線で露光されたハードマスクの部分が、ハードマスク層上に露光領域のパターンを形成する、ハードマスク層の一部を紫外線で露光することと、エッチングがハードマスク層の未露光部分を除去する、ハードマスク層をエッチングすることと、を含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , H01L 21/316 , H01L 21/306

FI (9件)：

H01L21/30 502R , H01L21/30 502G , H01L21/316 G , H01L21/316 X , H01L21/316 P , H01L21/306 D , H01L21/302 104Z , H01L21/302 105A , H01L21/302 101C

Fターム (29件)：

5F004BB13 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004EA06 , 5F043AA31 , 5F043AA33 , 5F043BB22 , 5F043DD08 , 5F043FF10 , 5F043GG10 , 5F046AA20 , 5F046AA28 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF02 , 5F058BF07 , 5F058BF37 , 5F058BF46 , 5F058BH02 , 5F058BH03 , 5F058BH04 , 5F058BH05 , 5F058BH16 , 5F058BH17 , 5F058BJ04 , 5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (4件)

パターン形成方法および感光性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-174638 出願人：株式会社東芝
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-242168 出願人：株式会社東芝
レジスト
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-105164 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る