特許
J-GLOBAL ID:201103069979749108

表面実装型発光素子用配線基板および発光装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-072782
公開番号(公開出願番号):特開2011-205009
出願日: 2010年03月26日
公開日(公表日): 2011年10月13日
要約:
【課題】 電極の引き回し自由度を向上できるとともに、高い光反射率を有し、熱放熱性に優れた表面実装型発光素子用配線基板および発光装置を提供する。【解決手段】 金属体1が厚み方向に貫通して設けられたセラミックスからなる絶縁基部3と、該絶縁基部3の上面に積層された、発光素子13が搭載される搭載部15を有するセラミックスからなる上側表層絶縁層5と、該上側表層絶縁層5の上面に形成された接続電極7とを具備する表面実装型発光素子用配線基板であって、上側表層絶縁層5が、上側緻密質部5aと、該上側緻密質部5aよりも緻密度が低い上側多孔質部5bとからなり、搭載部15が上側緻密質部5aの上面に位置するとともに、上側緻密質部5aが金属体1の上面に位置している。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
金属体が厚み方向に貫通して設けられたセラミックスからなる絶縁基部と、該絶縁基部の上面に積層された、発光素子が搭載される搭載部を有するセラミックスからなる上側表層絶縁層と、該上側表層絶縁層の上面に形成された接続電極とを具備する表面実装型発光素子用配線基板であって、前記上側表層絶縁層が、上側緻密質部と、該上側緻密質部の周囲に形成され前記上側緻密質部よりも緻密度が低い上側多孔質部とからなり、前記搭載部が前記上側緻密質部の上面に位置するとともに、前記上側緻密質部が前記金属体の上面に位置していることを特徴とする表面実装型発光素子用配線基板。
IPC (2件):
H01L 33/48 ,  H01L 33/64
FI (2件):
H01L33/00 400 ,  H01L33/00 450
Fターム (7件):
5F041AA04 ,  5F041AA33 ,  5F041DA07 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA36 ,  5F041DA78

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