特許

J-GLOBAL ID：201103070020147786

半導体ウェーハの製造方法

発明者： 栗田 一成 ,  中村 誠一
出願人/特許権者： 株式会社SUMCO
代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  来間 清志 ,  高梨 玲子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-069417
公開番号（公開出願番号）：特開2011-200897
出願日： 2010年03月25日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：

【課題】 レーザ加工によって半導体ウェーハの深さ方向の任意の位置にアライメントマークを形成することが可能な半導体ウェーハの製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明に係る半導体ウェーハの製造方法は、半導体ウェーハ20の両面20a,20bのいずれか一方の面20aから、該半導体ウェーハの任意の所定深さ位置21に焦点を合わせてレーザ光線10を照射することにより、所定深さ位置21にある半導体ウェーハの特定部分のみに多光子吸収過程を生じさせて、半導体ウェーハ20の位置合わせを行うためのアライメントマーク22を形成することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの両面のいずれか一方の面から、該半導体ウェーハの任意の所定深さ位置に焦点を合わせてレーザ光線を照射することにより、前記所定深さ位置にある半導体ウェーハの特定部分のみに多光子吸収過程を生じさせて、前記半導体ウェーハの位置合わせを行うためのアライメントマークを形成することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (2件)：

B23K 26/00 ,  B23K 26/04

FI (3件)：

B23K26/00 B ,  B23K26/00 H ,  B23K26/04 C

Fターム (4件)：

4E068AB01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA11 ,  4E068DA10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• マーク認識システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-107476   出願人：株式会社デンソー
• 高強度超短パルスレーザー加工方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-023880   出願人：理化学研究所