特許

J-GLOBAL ID：201103070086411808

集光型光発電モジュール及び集光型光発電モジュールの製造方法

発明者： 白井 寛 ,  宮本 真
出願人/特許権者： 日立マクセル株式会社
代理人 (1件)： 古部 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-206354
公開番号（公開出願番号）：特開2011-060857
出願日： 2009年09月07日
公開日（公表日）： 2011年03月24日
要約：

【課題】化合物半導体を用いる化合物太陽電池セルを備えた集光型光発電モジュールを構成する際に、化合物半導体を含む半導体層に熱による欠陥が生じることを防ぐ。【解決手段】太陽光を集光する集光レンズと、集光レンズにより集光された太陽光を受光する光発電素子20と、を備え、光発電素子20は、基板21上に形成され、外部配線28aとの接続が可能な第1の電極取り出し部22aを設けた裏面電極層(第1の電極層)22と、裏面電極層22上に順に形成された半導体層23及び透明電極層(第2の電極層)24と、透明電極層24上に所定の間隔を設けて並列に形成され、外部配線28bとの接続が可能な第2の電極取り出し部25aを有する複数の集電電極25と、裏面電極層22と集電電極25の第2の電極取り出し部25aとの間を電気的に絶縁する絶縁部26と、を有することを特徴とする集光型光発電モジュール。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

太陽光を集光する集光レンズと、 前記集光レンズにより集光された太陽光を受光する光発電素子と、を備え、 前記光発電素子は、 基板上に形成され、外部配線との接続が可能な第1の電極取り出し部を設けた第1の電極層と、 前記第1の電極層上に順に形成された半導体層及び第2の電極層と、 前記第2の電極層上に所定の間隔を設けて並列に形成され、外部配線との接続が可能な第2の電極取り出し部を有する複数の集電電極と、 前記第1の電極層と前記集電電極の前記第2の電極取り出し部との間を電気的に絶縁する絶縁部と、 を有することを特徴とする集光型光発電モジュール。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (6件)：

5F051AA10 ,  5F051BA17 ,  5F051DA20 ,  5F151AA10 ,  5F151BA17 ,  5F151DA20