フローティングボディ効果を除去した半導体メモリ素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：志賀正武 , 渡邊隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-177544
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033402
特許番号：特許第4343460号
出願日： 2001年06月12日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板と、前記半導体基板の上面と隣接して埋め込まれ、平行に配列された複数本のビットラインと、前記半導体基板上に前記ビットラインと絶縁され、交差して形成された複数本のワードラインと、前記ビットライン及びワードラインが交差する単位メモリセル領域に形成されており、前記ワードラインの側壁の一部に沿ってゲート絶縁膜を介しつつ前記ビットライン上に垂直に第1ソース/ドレーン領域、チャンネル領域及び第2ソース/ドレーン領域を含む複数個の垂直型アクセストランジスタを備え、前記各アクセストランジスタのチャンネル領域を含む各ボディ領域が一体化されるように相互連結されてフローティングボディ効果を除去した半導体メモリ素子。

IPC (2件)：

H01L 21/8242 ( 200 6.01) , H01L 27/108 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 27/10 671 A , H01L 27/10 621 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-140170
特開昭63-263758

前のページに戻る