特許
J-GLOBAL ID：201103070531483369
プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-384907
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184756
特許番号：特許第3606198号
出願日： 2000年12月14日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】真空処理室と、前記真空処理室内で処理される試料を載置するための試料台と、前記真空処理室内にプラズマ生成用のガスを供給するガス供給手段と、前記真空処理室内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記プラズマ生成手段とは独立に前記試料に高周波バイアスを印加するバイアス印加手段と、前記試料台に前記試料を静電吸着させるための静電吸着電源とを有するプラズマ処理装置において、前記試料台の上面には静電吸着用の誘電体膜を形成し、前記試料台の試料載置面外周部には前記高周波バイアスが印加され、かつ、前記試料台に静電吸着されるように導体から成りプラズマの成分を調整するための円環状部材を配置し、前記円環状部材の外周部側面に絶縁材料で成る高周波抵抗部材を配置し、前記高周波抵抗部材と前記試料台側面との間に絶縁材で成る絶縁環を配置し、前記静電吸着用の誘電体膜と前記円環状部材との間には前記高周波バイアスを調整するための誘電体を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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