特許
J-GLOBAL ID：201103070622049033
非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-050152
特許番号：特許第3046965号
出願日： 1999年02月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 p型半導体層とi型の非晶質シリコン系光電変換層とn型半導体層との積層構造を有する非晶質シリコン系薄膜光電変換装置をプラズマCVD法を利用して製造する方法であって、プラズマCVD反応室内に導入される原料ガスの主成分としてシラン系ガスと、水素を含む希釈ガスとが用いられ、かつ前記シラン系ガスに対する希釈ガスの流量を4倍以下とし、前記プラズマCVD反応室内の圧力のうちシラン系ガスの分圧を1.2Torr以上5.0Torr以下とし、かつ一方電極上に載置された基板表面と前記一方電極に対向する他方電極面との距離を8mm以上15mm以下とする条件下で、前記p型半導体層、前記i型の非晶質シリコン系光電変換層および前記n型半導体層の少なくとも1層を形成することを特徴とする、非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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