特許

J-GLOBAL ID：201103070640461790

有機EL表示装置の製造方法、その検査装置及び検査方法

発明者： 平岡 知己
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-243597
公開番号（公開出願番号）：特開2011-090889
出願日： 2009年10月22日
公開日（公表日）： 2011年05月06日
要約：

【課題】簡易的な構成により欠陥画素の検査段階でリペアの可否判定を可能とし、リペア工程での作業ロスを低減した有機EL表示装置の製造方法、その検査装置及び検査方法を提供する。【解決手段】有機EL表示装置を構成し、有機EL素子を有する画素の発光輝度を測定する輝度測定ステップS10と、輝度測定ステップで測定された発光輝度の大きさに基づいて、欠陥画素を特定する画素特定ステップS20と、画素特定ステップで特定された欠陥画素の有する有機EL素子に所定の順バイアス電圧を印加した際に流れる電流値を測定する電流値測定ステップS30と、電流値測定ステップで測定された電流値の大きさに基づいて、欠陥画素の有機EL素子が短絡しているか否かを判定する判定ステップS40及びS50とを含む有機EL表示装置の検査方法。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置を構成し、有機EL素子を有する画素の発光輝度を測定する輝度測定ステップと、 前記輝度測定ステップで測定された発光輝度の大きさに基づいて、欠陥画素を特定する画素特定ステップと、 前記画素特定ステップで特定された欠陥画素の有する有機EL素子に所定の順バイアス電圧を印加した際に流れる電流値を測定する電流値測定ステップと、 前記電流値測定ステップで測定された電流値の大きさに基づいて、前記欠陥画素の有機EL素子が短絡しているか否かを判定する判定ステップとを含む 有機EL表示装置の検査方法。

IPC (3件)：

H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  G09F 9/00

FI (3件)：

H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  G09F9/00 352

Fターム (16件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  3K107GG56 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435CC09 ,  5G435EE12 ,  5G435FF11 ,  5G435HH12 ,  5G435HH13 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10 ,  5G435LL04 ,  5G435LL08