特許
J-GLOBAL ID：201103070735435703
半導体メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-210083
公開番号（公開出願番号）：特開平3-076096
特許番号：特許第2834203号
出願日： 1989年08月16日
公開日（公表日）： 1991年04月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】複数のワード線と、複数のビット線対と、電界効果トランジスタで構成されたフリップフロップを有し上記ワード線とビット線対に結合されたメモリセルと、上記ビット線対にベースが結合された第1のバイポーラトランジスタと、上記ビット線対にエミッタが結合された第2のバイポーラトランジスタと、上記ビット線対にコレクタが結合された第3のバイポーラトランジスタとを有し、上記第1のバイポーラトランジスタは上記ビット線対に結合されたメモリセルの情報を、ベースに入力される信号に基づいてコレクタから出力し、上記第2のバイポーラトランジスタは、ベースに入力される信号に基づいて上記結合されたビット線対の電位を制御し、上記第3のバイポーラトランジスタは、ベースに入力される信号に基づいて上記結合されたビット線対の電位を制御し、上記第3のバイポーラトランジスタのベースに入力される信号の最低電位は、上記メモリセルに印加される負側電位より低く設定されてなり、上記第3のバイポーラトランジスタは、それが結合されているビット線対の間に結合されるメモリセルへのデータの書き込み時のみ、そのコレクタが結合されているビット線に電流を供給することを特徴とする半導体メモリ。
IPC (2件)：
G11C 11/414
, G11C 11/417
G11C 11/34 315
, G11C 11/34 305
