半導体製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩佐義幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-090902
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286208
特許番号：特許第3376951号
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】コールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を用いてトランジスタのソースおよびドレインに注入したドーパントの活性化のためのアニールを半導体ウェーハに対して行う半導体製造装置において、前記コールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉内の熱処理チャンバーを、ウェーハ表面側と裏面側とに分離し、導入ガスの配管もウェーハ表面側と裏面側とに各々接続することにより、前記導入ガスが行き来できないようにし、前記ウェーハ裏面側への導入ガスは、少なくとも1%以上の酸素を含んだ不活性ガスであることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/26 , H01L 21/205 , H01L 21/265 602

FI (3件)：

H01L 21/205 , H01L 21/265 602 B , H01L 21/26 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-250634
特開昭62-250634

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