成膜方法、成膜装置、および成膜装置の使用方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-009704
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187934
出願日： 2011年01月20日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：

【課題】Siソースガスと酸化種を用いて被処理体へのSiO2膜成膜処理を繰り返し行う際に、被処理体に付着するパーティクル数を低減すること。【解決手段】処理容器内でSiソースガスと酸化種とを用いて被処理体の表面にSiO2膜を形成する成膜処理201を複数回繰り返し行い、これら成膜処理201の間に、被処理体を処理容器から搬出した状態で処理容器内を排気しつつその中の酸化を行う酸化パージ処理202を実施する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

処理容器内でSiソースガスと酸化種とを用いて被処理体の表面にSiO2膜を形成する成膜処理と、前記被処理体を前記処理容器から搬出した状態で、前記処理容器内に堆積した膜を除去する処理を介在させることなく、前記処理容器内を排気しつつ前記堆積した膜に対して酸化を施す酸化パージ処理と、を交互に複数回繰り返すことを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , H01L 21/316 , C23C 16/44 , C23C 16/42

FI (4件)：

H01L21/31 B , H01L21/316 X , C23C16/44 J , C23C16/42

Fターム (29件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030DA06 , 4K030FA03 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030GA12 , 4K030HA01 , 4K030LA15 , 5F045AA04 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045BB15 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EB06 , 5F045EB11 , 5F045EE19 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BG10

引用特許：

審査官引用 (6件)

気相成長装置内の処理方法、薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-164126 出願人：NECエレクトロニクス株式会社
薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-002550 出願人：東京エレクトロン株式会社
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-282224 出願人：株式会社日立国際電気

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