特許
J-GLOBAL ID:201103071174153912

密閉状態を確証するプロセス及びそのための半導体デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 社本 一夫 (外5名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-169639
公開番号(公開出願番号):特開2000-135700
特許番号:特許第3187389号
出願日: 1999年06月16日
公開日(公表日): 2000年05月16日
請求項(抜粋):
【請求項1】 キャビティ(16)をその間に画成する2つの結合されたウェハ(10,12)の間の密閉状態を検査するための方法であって、前記方法は、半導体基板(10)にむき出しのPN接合ダイオード(20)を形成し、デバイスウェハ(10)をキャッピングウェハ(12)に結合して、前記PN接合ダイオード(20)を、前記デバイスウェハ(10)及び前記キャッピングウェハ(12)により両ウェハ間に画成されるキャビティ(16)の内部に閉じ込め、次に、前記PN接合ダイオード(20)に逆方向電流を流し、前記キャビティ(16)の内部に存在する湿気の示度として、前記逆方向電流を測定するか、又は、前記逆方向電流により引き起こされる電圧を測定する、各工程を含む、前記方法。
IPC (5件):
B81C 5/00 ,  G01B 7/14 ,  G01C 19/56 ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/08
FI (5件):
B81C 5/00 ,  G01B 7/14 Z ,  G01C 19/56 ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/08 P

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