特許

J-GLOBAL ID：201103071218814148

半導体記憶装置

発明者： 尾崎 英之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-264149
公開番号（公開出願番号）：特開平3-125393
出願日： 1989年10月11日
公開日（公表日）： 1991年05月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】外部から与えられる1つのアドレス信号に応答して複数のデータを並列的に読出または書込可能な半導体記憶装置であって、1枚の半導体チップと、前記半導体チップ上に形成され、各々が複数のメモリセルを含む複数のメモリブロックと、前記半導体チップ上に形成され、前記1つのアドレス信号に応答して前記複数のメモリブロックの各々において1つのメモリセルを選択する選択手段と、前記半導体チップ上に形成されかつ前記複数のメモリブロックに対応して設けられ、各々が対応するメモリブロックにおいて前記選択手段によって選択された1つのメモリセルのデータを増幅する複数の増幅手段と、前記複数のメモリブロックに対応して設けられ、各々が対応するメモリブロックにおいて前記選択手段によって選択された1つのメモリセルのデータを入力または出力するための複数の端子と、前記複数の増幅手段のうちいずれかを固定的に非活性状態に設定するための設定手段とを備えた半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/41 ,  G11C 11/401

FI (2件)：

G11C 11/34 A ,  G11C 11/34 362 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭54-027785
  
• 特開昭63-026892
  
• 特開昭63-049812
  
• 特開昭64-051512