特許

J-GLOBAL ID：201103071285588381

静電容量型センサ

発明者： 後藤 浩嗣
出願人/特許権者： パナソニック電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-247065
公開番号（公開出願番号）：特開2011-095010
出願日： 2009年10月27日
公開日（公表日）： 2011年05月12日
要約：

【課題】小型化を図りつつ高性能化が可能な静電容量型センサを提供する。【解決手段】可動電極15,15と固定電極25,25とで構成される2つのコンデンサを有するセンサ部E1と、センサ部E1と空間的に分離して配置されセンサ部E1と協働するIC部E2と、センサ部E1およびIC部E2を厚さ方向の両側から封止するための第1のカバー基板2および第2のカバー基板3とを備える。各カバー基板2,3は、低誘電率基板であるガラス基板20,30を用いて形成され、センサ部E1とIC部E2とは、第1のカバー基板2に形成されセンサ部E1に電気的に接続された第1貫通配線21と、第1のカバー基板2に形成されIC部E2に電気的に接続された第2貫通配線22と、第1のカバー基板2におけるセンサ部E1およびIC部E2とは反対側の表面に設けられ第1貫通配線21と第2貫通配線22とを繋ぐ表面配線26とで電気的に接続されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

可動電極と固定電極とで構成されるセンシング用のコンデンサを有するセンサ部と、センサ部の側方においてセンサ部と空間的に分離して配置されセンサ部と協働するIC部と、センサ部およびIC部を厚さ方向の両側から封止する第1のカバー基板および第2のカバー基板とを備え、第1のカバー基板および第2のカバー基板は、絶縁性を有し且つSiよりも誘電率が低い材料からなる低誘電率基板を用いて形成されてなり、センサ部とIC部とは、第1のカバー基板に形成されセンサ部に電気的に接続された第1貫通配線と、第1のカバー基板に形成されIC部に電気的に接続された第2貫通配線と、第1のカバー基板におけるセンサ部およびIC部とは反対側の表面に設けられ第1貫通配線と第2貫通配線とを繋ぐ表面配線とで電気的に接続されてなることを特徴とする静電容量型センサ。

IPC (3件)：

G01P 15/125 ,  G01P 15/08 ,  H01L 29/84

FI (3件)：

G01P15/125 Z ,  G01P15/08 P ,  H01L29/84 Z

Fターム (15件)：

4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA31 ,  4M112CA32 ,  4M112CA33 ,  4M112DA02 ,  4M112DA06 ,  4M112DA08 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112FA20