特許
J-GLOBAL ID：201103071321435872
高い光取り出しの発光ダイオードチップとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人三枝国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-525931
公開番号（公開出願番号）：特表2010-541209
出願日： 2008年09月17日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：
本発明は、基板と、電気光学効果によって光を発生するエピタキシャル層構造体と、基板とエピタキシャル層構造体との間に介装される透明な屈折層と、エピタキシャル層構造体へ電力供給を行う1対の電極とを含む、高い光取り出しの発光ダイオードチップを提供する。エピタキシャル層構造体の底面及び上面は、100nm二乗平均平方根(rms)以上の粗さを有するように粗化される。従って、エピタキシャル層構造体によって発生される光は効果的に取り出される。5μmrms以下の透明な屈折層は、基板とエピタキシャル層構造体との間の界面として形成される。基板へ向かう光は、より効果的に上方へ反射される。従って、光取り出し及び明るさは増大される。また、本発明の発光ダイオードチップを製造するための方法も提供する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に形成され、空気の屈折率より大きい屈折率を有する透明な屈折層と、
前記透明な屈折層へ接続する底面と前記底面に対向する上面とを有し、光を発生し、かつ前記透明な屈折層の屈折率より大きい屈折率を有し、前記底面及び上面の双方が100nm二乗平均平方根(rms)以上の粗さを有するエピタキシャル層構造体と、
前記エピタキシャル層構造体上に別々に配置された1対の電極を有し、前記エピタキシャル層構造体とオーミック接触を形成して、前記エピタキシャル層構造体へ電気エネルギーを供給する電極ユニットとを備える発光ダイオードチップ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 172
, H01L33/00 186
5F041AA03
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CB11
, 5F041CB15
, 5F041CB36
