特許

J-GLOBAL ID：201103071368233623

酸化物超電導体薄膜形成法

発明者： 上戸 幸次 ,  梶 源太郎 ,  永野 三郎
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-032053
公開番号（公開出願番号）：特開平2-209490
特許番号：特許第2759119号
出願日： 1989年02月10日
公開日（公表日）： 1990年08月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】安定化ジルコニア基板の両面に貴金属膜を被着形成し、このジルコニア基板を減圧酸素雰囲気中に配置すると共に両貴金属膜を正負電極としてジルコニア基板の厚み方向に直流電圧を印加し、同時に正極側貴金属膜表面に酸化物超電導体膜を気相成長させるようにした酸化物超電導体の薄膜形成法。

IPC (4件)：

C30B 29/22 ZAA ,  C23C 14/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA

FI (4件)：

C30B 29/22 ZAA Z ,  C23C 14/06 ZAA S ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/24 ZAA B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-283363
  
• 特公昭54-025420