特許
J-GLOBAL ID：201103071501928893
イオン注入装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-272624
公開番号（公開出願番号）：特開平3-133044
出願日： 1989年10月18日
公開日（公表日）： 1991年06月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体ウェハに不純物イオンを注入するための真空チャンバ内に、尖端金属電極と、この尖端金属電極の先端にガスを送り込むガス供給手段とを備え、前記尖端金属電極にマイナスの高電圧を印加して局所的にコロナ放電を起こし、このコロナ放電により発生したガス分子のマイナスイオンを前記ガス供給手段により半導体ウェハ付近に送り込むことを特徴とするイオン注入装置。
IPC (2件)：
H01J 37/317 Z 9172-5E
, H01L 21/265
