特許

J-GLOBAL ID：201103071511643196

インプロセス電荷モニター及び制御システム、イオン注入装置およびそのための電荷中和方法

発明者： アルフレッド マイケル ホーリング
出願人/特許権者： アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (3件)： 萼 経夫 ,  宮崎 嘉夫 ,  小野塚 薫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-553219
特許番号：特許第3921594号
出願日： 2001年12月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 イオン注入装置のインプロセス電荷モニター及び制御システム(32)であって、 (i)イオンビーム(18)によって注入される位置へ複数のウエハ(W)が配置可能となり、さらに、隣接するウエハの間に配置されかつ前記ウエハの表面よりも電気導電性が良いまたは悪い部分と、前記複数の各ウエハからほぼ等距離にある中心(31)と、前記中心からほぼ等距離に配置された第1、第2の開口(64,66)とを有するウエハ支持体(22)を含み、さらに、該ウエハ支持体には、前記第1、第2の開口(64,66)をそれぞれ通過する前記イオンビーム(18a、18b)の第1、第2の部分を受け入れて第1、第2の出力信号(44,42)を出力するための第1、第2の電荷モニター(40,38)が設けられており、さらに、 (ii) 前記第1、第2の出力信号(44,42)と比較し、かつ前記第1、第2の電荷モニター(40,38)によって受取ったイオンビーム電流における差を示す第3出力信号(48)を出力する比較器(46)を含み、 前記ウエハ支持体(22)は、前記中心(31)を通る1つの軸線回りに回転する回転ディスクであり、前記軸線は、前記回転ディスク上の表面に垂直となり、さらに、前記第3出力信号(48)は、イオン注入装置の電荷中和システム(33)への入力として用いられることを特徴とするインプロセス電荷モニター及び制御システム。

IPC (3件)：

H01J 37/317 ( 200 6.01) ,  H01J 37/20 ( 200 6.01) ,  H01L 21/265 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01J 37/317 C ,  H01J 37/20 H ,  H01L 21/265 T ,  H01L 21/265 N