特許

J-GLOBAL ID：201103071755263956

基板表面温度の測定方法およびそれを利用した半導体薄膜の結晶成長法と成長装置

発明者： 堀越 佳治
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-032830
公開番号（公開出願番号）：特開平2-212725
特許番号：特許第2554735号
出願日： 1989年02月14日
公開日（公表日）： 1990年08月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板表面に光を照射し、前記基板表面からの反射光強度を測定して反射スペクトル・データを求め、該反射スペクトル・データと、基板材料のバンドギャップの温度依存性の既知のデータとを照合して、前記基板表面の温度を測定することを特徴とする基板表面温度の測定方法。

IPC (6件)：

G01J 5/00 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/223 ,  H01L 21/66

FI (6件)：

G01J 5/00 D ,  C30B 23/08 M ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/223 C ,  H01L 21/66 T