論理回路及び半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-229460
公開番号（公開出願番号）：特開2011-103453
出願日： 2010年10月12日
公開日（公表日）： 2011年05月26日
要約：

【課題】トランジスタのリーク電流を低減し、論理回路の誤動作を抑制する。【解決手段】チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層を含み、チャネル幅1μmあたりのオフ電流が1×10-13A以下であるトランジスタを有し、入力信号として、第1の信号、第2の信号、及びクロック信号である第3の信号が入力され、入力された第1の信号乃至第3の信号に応じて電圧状態が設定された第4の信号及び第5の信号を出力信号として出力する構成とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層を含み、チャネル幅1μmあたりのオフ電流が1×10-13A以下であるトランジスタを有し、入力信号として、第1の信号、第2の信号、及びクロック信号である第3の信号が入力され、入力された前記第1の信号乃至前記第3の信号に応じて電圧状態が設定された第4の信号及び第5の信号を出力信号として出力する論理回路。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/78 613Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 612B

Fターム (91件)：

5F110AA06 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD07 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE24 , 5F110EE27 , 5F110EE30 , 5F110EE44 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF35 , 5F110GG01 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG33 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110HM03 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110HM19 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN14 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ02 , 5F110QQ08 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11

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