特許
J-GLOBAL ID:201103071811860423
導波路型共振器デバイス
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
伊東 忠彦
, 山口 昭則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-102416
公開番号(公開出願番号):特開2011-232529
出願日: 2010年04月27日
公開日(公表日): 2011年11月17日
要約:
【課題】光の伝播損失が少なく、バラツキの少ない導波路型共振器デバイスを提供する。【解決手段】光入力端及び光出力端を有し、前記光入力端より入射した光を伝播させる光導波路と、前記光導波路に近接して配置された所定の周波数で共振する共振器と、を有し、前記光導波路及び前記共振器は、単結晶のシリコン層により形成されるものであって、前記共振器は前記シリコン層の一部によりコアが形成されるPIN接合構造を有し、前記共振器は、直線部分と角部分を有する略多角形状で形成されており、前記共振器は、前記角部分のいずれか1つにおいて前記光導波路と最も近接して配置されており、前記直線部分は、前記シリコン層における[1 0 0]方向、[0 1 0]方向、[0 0 1]方向、[1 1 0]方向、[1 0 1]方向、[0 1 1]方向のいずれかに沿って形成されていることを特徴とする導波路型共振器デバイスにより上記課題を解決する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
光入力端及び光出力端を有し、前記光入力端より入射した光を伝播させる光導波路と、
前記光導波路に近接して配置された所定の周波数で共振する共振器と、
を有し、
前記光導波路及び前記共振器は、単結晶のシリコン層により形成されるものであって、前記共振器は前記シリコン層の一部によりコアが形成されるPIN接合構造を有し、
前記共振器は、直線部分と角部分を有する略多角形状で形成されており、
前記共振器は、前記角部分のいずれか1つにおいて前記光導波路と最も近接して配置されており、
前記直線部分は、前記シリコン層における[1 0 0]方向、[0 1 0]方向、[0 0 1]方向、[1 1 0]方向、[1 0 1]方向、[0 1 1]方向のいずれかに沿って形成されていることを特徴とする導波路型共振器デバイス。
IPC (3件):
G02B 6/122
, G02F 1/025
, G02B 6/12
FI (3件):
G02B6/12 C
, G02F1/025
, G02B6/12 J
Fターム (12件):
2H079AA02
, 2H079BA01
, 2H079DA16
, 2H079EA03
, 2H079EB05
, 2H147AB02
, 2H147AC01
, 2H147EA13A
, 2H147EA14B
, 2H147EA36A
, 2H147FA03
, 2H147FC05
引用特許:
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