特許

J-GLOBAL ID：201103072108292347

発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システム

発明者： ムン,ジヒュン ,  キム,ソジュン ,  ソン,ジュンオ ,  ジョン,ワンヒ
出願人/特許権者： エルジー イノテック カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 金高 寿裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-278061
公開番号（公開出願番号）：特開2011-129922
出願日： 2010年12月14日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：

【課題】光効率が向上した発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムを提供する。【解決手段】本発明による発光素子は、導電性支持層と、導電性支持層上に、第1電気伝導性を有する第1の領域及び第1電気伝導性よりも低い第2電気伝導性を有する第2の領域を含む透明伝導層と、透明伝導層上に、第1導電型の半導体層、第2導電型の半導体層及び第1導電型の半導体層と第2導電型の半導体層の間の活性層を含む発光構造層と、発光構造層上に、第2の領域と垂直方向にオーバーラップする領域に少なくとも一部分が配置される電極と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性支持層と、 前記導電性支持層上に形成され、第1電気伝導性を有する第1の領域及び前記第1電気伝導性よりも低い第2電気伝導性を有する第2の領域を含む透明伝導層と、 前記透明伝導層上に形成され、第1導電型の半導体層、第2導電型の半導体層及び前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層の間の活性層を含む発光構造層と、 前記発光構造層上に形成され、前記第2の領域と垂直方向にオーバーラップする領域に少なくとも一部分が配置される電極と、 を含む発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/14 ,  H01L 33/32

FI (2件)：

H01L33/00 150 ,  H01L33/00 186

Fターム (13件)：

5F041AA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88 ,  5F041CB15 ,  5F041DA07 ,  5F041DA19 ,  5F041DA36 ,  5F041DC07 ,  5F041DC82 ,  5F041DC83 ,  5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-235592   出願人：ローム株式会社
• 窒化物系高効率発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-239282   出願人：晶元光電股ふん有限公司
• 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-359511   出願人：シャープ株式会社
• 発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-278058   出願人：エルジーイノテックカンパニーリミテッド