特許
J-GLOBAL ID：201103072148242822
Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O超電導体薄膜の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外7名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-080997
公開番号（公開出願番号）：特開平2-258629
出願日： 1989年03月31日
公開日（公表日）： 1990年10月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】Bi-Sr-Ca-Cu-O薄膜を形成した後、この薄膜上に金属Pb薄膜を積層して、組成比Bi:Pb:Sr:Ca:Cu=1:1.34:2:2:4の薄膜を得、次いで熱処理を施しBi-Pb-Sr-Ca-Cu-O超電導薄膜(組成比(Bi+Pb):Sr:Ca:Cu=2:2:2:3)を作成する方法。
IPC (6件)：
C01G 29/00 ZAA
, C01G 1/00 S
, C23C 14/08 ZAA L 8414-4K
, C23C 14/58 A 8414-4K
, H01B 13/00 565 D
, H01B 12/06 ZAA
