特許

J-GLOBAL ID：201103072176184455

タングステンスパッタリングターゲットの製造方法

発明者： 青山 斉 ,  渡辺 高志 ,  高阪 泰郎 ,  石上 隆 ,  鈴木 幸伸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (2件)： 波多野 久 ,  関口 俊三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-115395
公開番号（公開出願番号）：特開2001-295036
特許番号：特許第4634567号
出願日： 2000年04月17日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】純度99.999%以上の高純度タングステン粉末を、モリブデン製ボールミル中で粉砕することによりモリブデン含有量が5〜100ppmであり、平均粒径が1〜5μmとなるように調整し、得られたタングステン粉末の成形体を真空中または不活性ガス雰囲気中で加圧焼結することを特徴とするタングステンスパッタリングターゲットの製造方法。

IPC (10件)：

C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  B22F 3/10 ( 200 6.01) ,  B22F 3/14 ( 200 6.01) ,  B22F 9/04 ( 200 6.01) ,  C22C 1/04 ( 200 6.01) ,  C22C 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/203 ( 200 6.01) ,  H01L 21/285 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 23/52 ( 200 6.01)

FI (9件)：

C23C 14/34 A ,  B22F 3/10 F ,  B22F 3/14 D ,  B22F 9/04 C ,  C22C 1/04 D ,  C22C 27/04 101 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• タングステンスパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-246031   出願人：株式会社ジャパンエナジー
• 特開平3-150356
  
• 半導体用タングステンターゲットの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-023724   出願人：日立金属株式会社
• 特開昭62-182202
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 粉末冶金法によるスパッタリングターゲット用高純度タングステン円板の開発