特許
J-GLOBAL ID：201103072533799757
固体電解コンデンサおよびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
, 佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-198240
公開番号（公開出願番号）：特開2011-049458
出願日： 2009年08月28日
公開日（公表日）： 2011年03月10日
要約：
【課題】ショートの発生が抑制された固体電解コンデンサ、およびその製造方法に関する。【解決手段】表面に誘電体被膜が形成された陽極体と、誘電体被膜上に形成された導電性高分子層と、を備える固体電解コンデンサであって、導電性高分子層は、少なくとも、誘電体被膜上に形成された第1導電性高分子層と、該第1導電性高分子層上に形成された第2導電性高分子層とを備え、第1導電性高分子層および第2導電性高分子層はシラン化合物を含み、第1導電性高分子層中のシラン化合物の濃度と第2導電性高分子層中のシラン化合物の濃度とが異なる、固体電解コンデンサの製造方法である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
表面に誘電体被膜が形成された陽極体と、前記誘電体被膜上に形成された導電性高分子層と、を備える固体電解コンデンサであって、
前記導電性高分子層は、少なくとも、前記誘電体被膜上に形成された第1導電性高分子層と、該第1導電性高分子層上に形成された第2導電性高分子層とを備え、
前記第1導電性高分子層および前記第2導電性高分子層はシラン化合物を含み、
前記第1導電性高分子層中のシラン化合物の濃度と前記第2導電性高分子層中のシラン化合物の濃度とが異なる、固体電解コンデンサ。
IPC (3件)：
H01G 9/028
, H01G 9/052
, H01G 9/00
H01G9/02 331F
, H01G9/02 331G
, H01G9/02 331H
, H01G9/05 K
, H01G9/24 C
