特許

J-GLOBAL ID：201103072636026462

C4をめっきして銅スタッドとする方法

発明者： シブリアン・イー・ウゾー ,  ダニエル・シー・エーデルステイン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003342
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274208
特許番号：特許第3245122号
出願日： 1999年01月08日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板中の凹部を選択的にめっきする方法であって、少なくとも1つの金属フィーチャと、前記金属フィーチャおよび前記基板を覆う少なくとも1つの絶縁層とを含む基板を提供するステップと、前記少なくとも1つの絶縁層中に少なくとも1つの凹部を形成し、これにより前記金属フィーチャの少なくとも一部分を露出させるステップと、前記絶縁層および前記金属フィーチャの前記露出部分の上に、後続の電気めっきするステップにおいて前記凹部を選択的にめっきするためにα-Taの層を含む少なくとも1つの導電性バリア層を形成するステップと、前記少なくとも1つのバリア層の上に第1の金属のめっきシード層を形成するステップと、前記めっきシード層の上にフォトレジスト層を付着させるステップと、前記フォトレジスト層および前記めっきシード層の、前記少なくとも1つの凹部の外にある一部分を除去するステップと、前記少なくとも1つの凹部中に残ったフォトレジストを除去するステップと、前記凹部中の前記めっきシード層に第2の金属を電気めっきするステップとを含み前記電気めっきするステップは、マスクを使用せずに第1の金属に第2の金属を直接めっきすることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288

FI (4件)：

C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/92 604 R ,  H01L 21/92 604 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭52-155055
  
• 特開平3-190240