特許
J-GLOBAL ID：201103072802503363
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松村 博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-146692
公開番号（公開出願番号）：特開平3-012980
特許番号：特許第2666086号
出願日： 1989年06月12日
公開日（公表日）： 1991年01月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体レーザの後端面の反射率が前端面の反射率よりも高く、発振波長の変化に対する前記後端面における反射率の変化量の大きさが前記前端面における反射率の変化量の大きさよりも大きく、かつ前記後端面の反射率および前記前端面の反射率の変化量の符号が同一であり、さらに、前記前端面から出射される出射光と前記後端面から出射される裏面光との強度の比が発振波長の変化に対して一定となるように材料および厚さを決定した誘電体膜を前記前端面および前記後端面にそれぞれ形成したことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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