特許

J-GLOBAL ID：201103072904650492

半導体記憶装置

発明者： 冨上 健司 ,  飛田 洋一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-127201
公開番号（公開出願番号）：特開平2-304798
特許番号：特許第2700489号
出願日： 1989年05月18日
公開日（公表日）： 1990年12月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】差動型の第1増幅器と、カレントミラー型の第2増幅器と、前記第1増幅器からの出力を前記第2増幅器に伝達するための、対をなすトランジスタで構成された複数のトランスファゲートとを備えたダイナミック型ランダムアクセスメモリーにおいて、前記対をなす各トランジスタにおけるソースとドレインとを、斜めイオン注入により生じるオフセットの影響を防止すべくオフセットの方向に対し同じ位置関係となるようレイアウトしたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  G11C 11/419 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 681 F ,  H01L 27/10 681 G ,  G11C 11/34 311

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-115861
  
• 特開昭51-105732