特許

J-GLOBAL ID：201103072944435713

化合物半導体素子の製造方法

発明者： 阪田 昌彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-368459
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185509
特許番号：特許第3729437号
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】スパッタ法によりガス雰囲気中でAuSi膜を形成する工程を包含する化合物半導体素子の製造方法であって、該スパッタガスが、アルゴンガス(Ar)と窒素ガス(N2)を含むことを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/28

FI (5件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 S ,  C23C 14/06 E ,  C23C 14/34 M ,  H01L 21/28 301 R