特許

J-GLOBAL ID：201103073176332426

半導体装置の製造方法

発明者： 村山 元章
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 熊谷 雄太郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-047843
公開番号（公開出願番号）：特開平2-226755
特許番号：特許第2773190号
出願日： 1989年02月28日
公開日（公表日）： 1990年09月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜上に導電化した第1の多結晶シリコンを被着パタン化し、その上にPSG膜を被着した後にゲート電極の取出部(以下第1の領域)及び容量素子形成部(以下第2の領域)の該PSG膜を選択的に除去し、次に前記第1、第2の領域の前記第1の多結晶シリコン上に熱酸化によりシリコン酸化膜を形成し、次いで前記第2の領域にシリコン窒化膜及び導電化した第2の多結晶シリコンを被着して前記第2の領域のみ選択的に残存せしめ、続いてバッファード弗酸により前記第1の領域のシリコン酸化膜を除去し、前記第1の領域及び第2の領域の前記第2の多結晶シリコン上にアルミニウムを被着パタン化し、アルミ配線及び容量素子の上部電極を形成することを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (1件)：

H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-251064
  
• 特開昭62-046551