特許
J-GLOBAL ID：201103073559015050
微細レジストホールパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
阿形 明
, 水口 崇敏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-353509
公開番号（公開出願番号）：特開2002-156764
特許番号：特許第3787271号
出願日： 2000年11月20日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ハーフトーン位相シフトマスクを用いたリソグラフィ法によりレジストパターンを形成する方法において、
(イ)(A)水酸基の水素原子が酸解離性基で置換されたヒドロキシスチレン単位を含むヒドロキシスチレン共重合体又はカルボキシル基の水素原子が酸解離性基で置換されたアクリル酸若しくはメタクリル酸単位とヒドロキシスチレン単位を含む共重合体の中から選ばれた樹脂成分、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)脂環式基を有するアルキレングリコールのジビニルエーテル、(D)第二級又は第三級脂肪族アミン及び(E)界面活性剤のみを有機溶剤に溶解してなるポジ型レジスト組成物を用いて無機系又は有機系反射防止膜を設けた基板上にレジスト膜を形成させること、及び
(ロ)上記レジスト膜にハーフトーン位相シフトマスクを介して放射線を照射後、アルカリ現像して得たレジストパターンを加熱し、2〜15nm/°Cの範囲の割合でレジストパターンサイズを縮小させること
を特徴とする微細レジストホールパターン形成方法。
IPC (6件)：
G03F 7/40 ( 200 6.01)
, G03F 7/004 ( 200 6.01)
, G03F 7/039 ( 200 6.01)
, G03F 7/11 ( 200 6.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
G03F 7/40 511
, G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, G03F 7/11
, G03F 7/20 502
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 570
, H01L 21/30 574
