特許

J-GLOBAL ID：201103073567832210

パワー半導体デバイスを取り付け且つ冷却するための装置

発明者： ディーン・キング・ノーベック ,  ハロルド・ロバート・シュネツカ・ザ・セカンド
出願人/特許権者： ヨーク・インターナショナル・コーポレーション
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-345023
公開番号（公開出願番号）：特開平3-001565
特許番号：特許第2828294号
出願日： 1989年12月28日
公開日（公表日）： 1991年01月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体装置において、第1ディスク型半導体デバイス、第2ディスク型半導体デバイスであって、上記第1及び第2半導体デバイスが各々互いに対向する極面を有している第1及び第2ディスク型半導体デバイス、対向する第1及び第2面を有する第1導通端子バーであって、上記第1面が一方の半導体デバイスの正極面及び他方の半導体デバイスの負極面と熱及び導電接触している第1導通端子バー、第2導通端子手段、上記第1端子バーと熱伝導接触している第1熱シンク手段であって、デバイス作動中、上記第1及び第2半導体デバイス内で発生した熱を受けるための第1熱シンク手段、上記第1熱シンク手段を上記第1端子バーから電気的に分離するために上記第1熱シンク手段と上記第1端子バーとの間に介在している絶縁材の層、各上記第1半導体デバイスと上記第2端子バーとの間に介在した第2熱シンク手段であって、デバイス作動中、各上記第1半導体デバイス内で発生した熱を受けるための第2熱シンク手段であって、上記第2端子バーに導電接触しており且つ上記第1半導体デバイスに熱及び導電接触しており、上記第1半導体デバイスから上記第2端子バーへの導電経路を提供する第2熱シンク、上記第2半導体デバイスと上記第2端子バーとの間に介在している第3熱シンクであって、デバイス作動中、各上記第2半導体デバイス内で発生した熱を受けるための第3熱シンク手段であって、上記第2端子バーに導電接触しており且つ上記第2半導体デバイスに熱及び導電接触しており、上記半導体デバイスの第1極面から上記第2端子バーへの導電経路を提供する第3熱シンク、及び上記第2及び第3熱シンク手段及び上記第1及び第2半導体デバイスをその間に圧縮するために圧縮力を上記第1及び第2端子バーにわたって適用するための手段を含み上記第1、第2及び第3熱シンク手段が、デバイス作動の所定の過渡及び安定状態期間中、各上記第1及び第2半導体デバイスにおける接合部温度を所定の最高接合部温度に又はそれより下に維持するために、各々の第1、第2及び第3所定熱容量を有し、上記第1及び第2半導体デバイスが上記過渡作動期間中、上記安定状態作動の期間中よりも大きな速度で熱を発生することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ,  H01L 23/40

FI (2件)：

H01L 21/52 J ,  H01L 23/40 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭53-143174
  
• 特開昭49-131385