特許
J-GLOBAL ID:201103073598283207

レジストパターンの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 中山 亨 ,  坂元 徹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-232305
公開番号(公開出願番号):特開2011-107690
出願日: 2010年10月15日
公開日(公表日): 2011年06月02日
要約:
【課題】ダブルパターニング法により良好なパターンを得ることができるレジストパターンの製造方法を提供する。【解決手段】以下の(1)〜(11)の工程;(1)第1のレジスト組成物を、基体上に塗布し、乾燥して第1のレジスト膜を得る工程(2)第1のレジスト膜をプリベークする工程(3)第1のレジスト膜を露光処理する工程(4)第1のレジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程(5)現像して第1のレジストパターンを得る工程(6)第1のレジストパターンの上にコート層を形成する工程(7)コート層の上に第2のレジスト組成物を塗布し、乾燥して第2のレジスト膜を得る工程(8)第2のレジスト膜をプリベークする工程(9)第2のレジスト膜を露光処理する工程(10)第2のレジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程(11)現像して第2のレジストパターンを得る工程、を含むレジストパターンの製造方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
以下の(1)〜(11)の工程; (1)酸に不安定な基を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂及び光酸発生剤を含有する第1のレジスト組成物を、基体上に塗布し、乾燥して第1のレジスト膜を得る工程、 (2)第1のレジスト膜をプリベークする工程、 (3)第1のレジスト膜を露光処理する工程、 (4)第1のレジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程、 (5)第1のアルカリ現像液で現像して第1のレジストパターンを得る工程、 (6)第1のレジストパターンの上に、コート層を形成する工程、 (7)コート層の上に、第2のレジスト組成物を塗布し、乾燥して第2のレジスト膜を得る工程、 (8)第2のレジスト膜をプリベークする工程、 (9)第2のレジスト膜を露光処理する工程、 (10)第2のレジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程、及び、 (11)第2のアルカリ現像液で現像して第2のレジストパターンを得る工程、 を含むレジストパターンの製造方法。
IPC (4件):
G03F 7/40 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (6件):
G03F7/40 511 ,  G03F7/40 501 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 575 ,  H01L21/30 570
Fターム (27件):
2H096AA25 ,  2H096HA05 ,  2H125AE04P ,  2H125AF17P ,  2H125AF38P ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AM38N ,  2H125AM93N ,  2H125AN31P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN45P ,  2H125AN54P ,  2H125AN62P ,  2H125AP01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  5F046LA18 ,  5F046LB09

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