特許

J-GLOBAL ID：201103073655442384

固体撮像装置及びその製造方法

発明者： 村越 篤
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-063463
公開番号（公開出願番号）：特開2011-198966
出願日： 2010年03月19日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】画素の高集積化を図ることができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】固体撮像装置において、多層配線層と、多層配線層上に設けられ、第1導電型層を有する半導体基板と、第1導電型層を複数の領域に区画する第2導電型の不純物拡散領域と、半導体基板上に前記区画された領域毎に設けられたカラーフィルタと、半導体基板の下面における区画された領域以外の領域に形成されたメタリック層と、を設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

多層配線層と、 前記多層配線層上に設けられ、第1導電型層を有する半導体基板と、 前記第1導電型層を複数の領域に区画する第2導電型の不純物拡散領域と、 前記半導体基板上に設けられた反射防止膜と、 前記反射防止膜上に前記区画された領域毎に設けられたカラーフィルタと、 前記半導体基板の下面における前記区画された領域以外の領域に形成されたメタリック層と、 を備え、 前記反射防止膜は、前記メタリック層の直上域には設けられていないことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L27/14 D ,  H01L27/14 A ,  H01L31/10 A

Fターム (24件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  4M118HA30 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049QA03 ,  5F049RA04 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ01 ,  5F049SZ06 ,  5F049SZ20