特許

J-GLOBAL ID：201103073838997725

バイポーラ型半導体装置

発明者： 平川 顕二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-176236
公開番号（公開出願番号）：特開平3-040436
出願日： 1989年07月07日
公開日（公表日）： 1991年02月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の半導体基板に形成する突出するメサ状部と,この突出するメサ状部及び前記半導体基板の境界を囲みかつ前記半導体基板に重ねて形成する絶縁物層と,前記絶縁物層に積層して配置する第1導電型の不純物を含む第1の多結晶層と,前記メサ状部の一方の側壁部に形成し前記第1の多結晶層に接続する第1導電型のベース領域と,前記ベース領域内に形成する第2導電型のエミッタ領域と,メサ状部の他方の側壁部に部分的に設けるコレクタ領域と,前記コレクタ領域に接続する第2導電型の不純物を含む第2の多結晶層と,前記メサ状部の頂部、第1多結晶層及び第2の多結晶層を被覆する他の絶縁物層と,前記他の絶縁物層に重なりかつ前記エミッタ領域に接続する第2導電型の不純物を含む第2の多結晶層を具備することを特徴とするバイポーラ型半導体装置

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 27/06 101 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-241167