特許

J-GLOBAL ID：201103073955933339

カーボンナノチューブ電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 武田 晴治 ,  武笠 幸一 ,  石井 睦 ,  尾崎 弘一 ,  澤村 誠 ,  細井 浩貴 ,  服部 聡史 ,  山田 良樹 ,  末岡 和久
出願人/特許権者： 国立大学法人北海道大学
代理人 (1件)： 鷲田 公一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-508550
特許番号：特許第4528986号
出願日： 2007年03月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板上に形成されたソース電極およびドレイン電極、ならびに前記ソース電極とドレイン電極とを接続するカーボンナノチューブからなるチャネルを有する電界効果トランジスタであって、 前記カーボンナノチューブを前記基板に固定するカーボンナノチューブフラグメントをさらに有し、 前記カーボンナノチューブフラグメントは、その表面にカルボキシル基またはカルボキシル基の誘導体を有し、その長さが1.5μm以下であり、前記基板のソース電極形成部位およびドレイン電極形成部位に選択的に結合している、電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/40 ( 200 6.01)

FI (10件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 625 ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 250 E ,  H01L 29/28 250 Z ,  H01L 29/28 370

引用特許：

出願人引用 (2件)

• カーボンナノチューブ構造体およびトランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-334351   出願人：三洋電機株式会社, 宗行英朗
• デカップリング素子およびその製造方法、並びにそれを用いたプリント基板回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-188508   出願人：富士ゼロックス株式会社