結晶の成長方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-262161
公開番号（公開出願番号）：特開平3-125422
特許番号：特許第2695488号
出願日： 1989年10月09日
公開日（公表日）： 1991年05月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基体上に形成された非晶質膜を熱処理することによって多結晶膜に固相成長させる工程と、前記多結晶膜上におのおのが該多結晶膜の結晶粒径よりも小さな所定の面積を有する複数のマスクを所定の間隔で設ける工程と、前記多結晶膜を構成する材料と同一材料のイオンを注入し、前記マスクで覆われた領域を残して多結晶膜を非晶質化する工程と、前記非晶質化された膜を熱処理することによって、前記非晶質化されずに残った領域を核として結晶を固相成長させる工程とから成る結晶の成長方法。

IPC (1件)：