特許
J-GLOBAL ID:201103074200727131

半導体基板のレジスト処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 富田 幸春
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-302226
公開番号(公開出願番号):特開平8-227928
特許番号:特許第2877744号
出願日: 1989年02月07日
公開日(公表日): 1996年09月03日
請求項(抜粋):
【請求項1】半導体基板を搬送自在にされた搬送機構を配設する直線状の搬送配置部と、該直線状の搬送配置部の一方側に沿って併設に配置され、それぞれが下方側に上記半導体基板を冷却するための冷却処理部、上方側に該半導体基板を加熱して処理する加熱処理部を積層して構成される熱系処理部と、上記直線状の搬送配置部の他方側に沿って配置され、半導体基板にレジスト液を塗布する処理部のみで構成或いは該半導体基板に現像液を供給し、現像処理する処理部のみで構成、或いは半導体基板にレジスト液を塗布する処理部と該半導体基板に現像液を供給し現像処理する処理部とで構成される液処理部とを少なくとも具備した半導体基板のレジスト処理装置であって、上記加熱処理部には、上記レジスト液を塗布する処理部で処理する前の半導体基板を加熱して水分を除去する処理及び/又は該レジスト液を塗布する処理部で処理した後の該半導体基板に形成されるレジスト膜を乾燥させる処理を施す処理部を具備し、更に前記冷却処理部には前記加熱処理部にて熱的処理をされた半導体基板を所定の温度に冷却する処理部を具備していることを特徴とする半導体基板のレジスト処理装置。
IPC (2件):
H01L 21/68 ,  H01L 21/027
FI (2件):
H01L 21/68 A ,  H01L 21/30 502 J
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 特開昭52-027367
  • 特開昭52-154370
  • 特開昭53-069582
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