特許
J-GLOBAL ID：201103074201212739
結晶成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-153365
公開番号（公開出願番号）：特開平3-016992
特許番号：特許第2712573号
出願日： 1989年06月15日
公開日（公表日）： 1991年01月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】真空中で構成元素を単位で供給しながら結晶成長する装置において、原子の大きさと同程度の大きさの先端を有する針と、前記針の先端を成長する基板表面に接近及び走査させる機構と、前記針と基板表面との間に電圧を印加し、前記針のトンネル電流を測定できる構成とを有する結晶成長装置を用い、前記構成元素を前記基板上に供給し1原子層もしくは数原子層吸着させる工程と、前記基板上に前記針の先端を原子の大きさ程度の距離にまで接近させて、電圧を印加させながら移動させ、選択的に所望の領域のみ解離させる工程とを含む結晶成長方法。
IPC (3件)：
C30B 23/02
, C30B 23/08
, H01L 21/203
C30B 23/02
, C30B 23/08 M
, H01L 21/203 M
