SQUID素子

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：小川勝男 (外1名) , 小川勝男 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平2-256973
公開番号（公開出願番号）：特開平4-136777
出願日： 1990年09月28日
公開日（公表日）： 1992年05月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】鎖交する磁束を電圧に変換するSQUIDリングと、薄膜超伝導層により形成され、外部から伝達された磁束検出電流により磁束を発生して前記SQUIDリングに入力磁束を印加する入力コイルとが一体の素子とされたSQUID素子において、過大電流による前記入力コイルの破壊を防止する抵抗層が前記入力コイルに接して形成されたことを特徴とするSQUID素子。

IPC (2件)：