特許
J-GLOBAL ID：201103074232324071
半導体スタック
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-038600
公開番号（公開出願番号）：特開2000-236677
特許番号：特許第3788880号
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1及び第2スイッチング素子をヒートシンク上に取り付けた上で前記第1及び第2スイッチング素子を互いに直列接続してハーフブリッジを構成する半導体スタックであって、
前記第1スイッチング素子の第1電極端子面及び第2電極端子面上と、前記第1スイッチング素子の前記第1電極端子面に隣り合った前記第2スイッチング素子の第1電極端子面上とに、底部絶縁体、交流導体及び内部絶縁体が順次に積層され、
前記内部絶縁体の表面中で前記第1スイッチング素子側の部分上に第1フレクシブル絶縁体及びP側導体が順次に積層され、
前記内部絶縁体の前記表面中で前記第2スイッチング素子側の部分上に第2フレクシブル絶縁体及びN側導体が順次に積層されており、
前記第1フレクシブル絶縁体と、その下の前記内部絶縁体、前記交流導体及び前記底部絶縁体とを貫通して前記第1スイッチング素子の前記第1電極端子面と接触し、且つ前記交流導体とは絶縁された導体スペーサを介して、前記P側導体の一方の端部は前記第1スイッチング素子の第1電極端子に接続され、
前記交流導体の一方の端部側の部分に設けられた第1凸部はその下の前記底部絶縁体を貫通して前記第1スイッチング素子の前記第2電極端子面と接触しており、
前記交流導体の他方の端部に設けられた第2凸部はその下の前記底部絶縁体を貫通して前記第2スイッチング素子の前記第1電極端子面と接触しており、
前記N側導体の一方の端部は前記内部絶縁体の端面を越えて前記第2スイッチング素子の第2電極端子面へ向けて延びており、
前記第2スイッチング素子の前記第2電極端子面に接触したN側導体用導電スペーサを介して、前記N側導体の前記一方の端部は前記第2スイッチング素子の第2電極端子に接続されていると共に、
前記P側導体と前記N側導体との間は、前記第1スイッチング素子の前記第1及び第2電極端子面に対して垂直方向に延びた前記第1フレクシブル絶縁体の一方の端部と、前記第2スイッチング素子の前記第1及び第2電極端子面に対して垂直方向に且つ前記第1フレクシブル絶縁体の前記一方の端部と平行に延びた前記第2フレクシブル絶縁体の一方の端部とによって、絶縁されていることを特徴とする、
半導体スタック。
IPC (3件)：
H02M 7/5387 ( 200 6.01)
, H02M 1/00 ( 200 6.01)
, H02M 7/04 ( 200 6.01)
H02M 7/538 Z
, H02M 1/00 J
, H02M 7/04 D
