特許
J-GLOBAL ID：201103074285880383
フォトダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-191488
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008048
特許番号：特許第3807954号
出願日： 2001年06月25日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 高濃度第1導電型基板と、この基板の一方の面に形成された低濃度第1導電型エピタキシャル層と、このエピタキシャル層内に形成された、受光部となる1つの第2導電型拡散層と、この拡散層上および基板の他方の面または前記拡散層上および拡散層以外のエピタキシャル層上に設けられたカソード電極およびアノード電極と、高濃度第1導電型基板に絶縁状態でダイボンドされ、アノード電極に接続され、かつ接地されたもう一つの基板と、エピタキシャル層上で、第2導電型拡散層を構成する領域の外周または内周にカソード電極またはアノード電極に平行に設けられ、カソード電極およびアノード電極とは接触しないで、かつカソード電極と共に一対の信号線を介して差動アンプにそれぞれ接続することによりノイズを相殺可能な第3の電極とを備えたフォトダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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