特許

J-GLOBAL ID：201103074575146004

半導体素子の電極の評価方法および該方法を格納した記録媒体

発明者： コントラータ ウォルター
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-053029
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317436
特許番号：特許第3494207号
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 電極および半導体からなる半導体素子の電気的な評価において、前記電極と前記半導体の界面を曲線部分(A1、A2、...、AM)および面部分(B1、B2、...、BN)(但し、M≧1かN≧1)の集合とみなし、前記曲線部分(Ai)の長さ(Li)と前記面部分(Bj)の面積(Sj)を形状ベクトル(L1、L2、...、LM、S1、S2、...、SN)として表すと共に、前記形状ベクトル(L1、L2、...、LM、S1、S2、...、SN)の異る前記半導体素子を少なくともN+M種類を作製して、前記半導体素子の固定バイアス条件下での前記半導体素子の前記電極を導通する電流Iを下記のLi、Sjの一次関数として適合させることを特徴とする半導体素子の電極の評価方法。;;数1::(式中、適合パラメータλiとσjはそれぞれAiとBjに相当する電流密度)

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  H01L 29/00 ,  H01L 29/80

FI (3件)：

H01L 21/66 Z ,  H01L 29/00 ,  H01L 29/80 Z