特許
J-GLOBAL ID：201103074576948210

SiGe膜の形成方法とヘテロ接合トランジスタの製造方法、及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ

発明者：
塩野 一郎

塩野 一郎 について

, 
水嶋 一樹

水嶋 一樹 について


出願人/特許権者：
三菱住友シリコン株式会社

三菱住友シリコン株式会社 について


代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-138994
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319935
特許番号：特許第3603747号
出願日： 2000年05月11日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】SiGeのベース領域を有するヘテロ接合トランジスタを製造する方法であって、コレクタ領域が形成されたSi基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の一部に前記コレクタ領域に通じる窓部を形成する工程と、前記窓部上及び前記絶縁膜上にSiGe膜を非選択的に形成し窓部上に前記ベース領域を形成すると共に前記絶縁膜上にベース電極までの引き出し線に供される領域を形成するSiGe膜形成工程と、前記ベース領域上にSiのエミッタ領域を形成する工程とを備え、前記SiGe膜形成工程は、 絶縁膜上にSiGe膜を形成する方法であって、 前記絶縁膜上に第1のSi(1-x)Gex膜(0<x≦0.04)を形成するバッファ形成工程と、 前記第1のSi(1-x)Gex膜上に第2のSi(1-y)Gey膜(0.05≦y<1)を形成する主膜形成工程とを備え、 前記バッファ形成工程は、前記第1のSi(1-x)Gex膜を0.5nm以上5nm以下の厚さ範囲で成膜する形成方法により形成することを特徴とするヘテロ接合トランジスタの製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/331 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/165 ,  H01L 29/737
FI (5件)：
H01L 29/72 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 29/165 ,  H01L 21/88 P
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 電界効果トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-144582   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
審査官引用 (1件)
  • 電界効果トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-144582   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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